Número de Producto del Fabricante:
FQA55N25
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQA55N25-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 55A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
12850221
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ENVIAR
FQA55N25 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
40mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FQA55
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTQ86N25T
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTQ86N25T-DG
PRECIO UNITARIO
4.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTQ64N25P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTQ64N25P-DG
PRECIO UNITARIO
4.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
NTHL041N60S5H
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
166
NÚMERO DE PIEZA
NTHL041N60S5H-DG
PRECIO UNITARIO
5.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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