Número de Producto del Fabricante:
FQB17P06TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQB17P06TM-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 17A (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12840088
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ENVIAR
FQB17P06TM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
120mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FQB1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SPB18P06PGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2030
NÚMERO DE PIEZA
SPB18P06PGATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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