FQB34P10TM
Número de Producto del Fabricante:

FQB34P10TM

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FQB34P10TM-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

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FQB34P10TM Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
33.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 16.75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2910 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FQB34P10

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FQB34P10

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
FQB34P10TM-DG
FQB34P10TMTR
FQB34P10TMCT
2156-FQB34P10TM-OS
FQB34P10TMDKR
ONSONSFQB34P10TM

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IRF5210STRLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
7933
NÚMERO DE PIEZA
IRF5210STRLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
AUIRF5210STRL
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
951
NÚMERO DE PIEZA
AUIRF5210STRL-DG
PRECIO UNITARIO
3.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
certification_01
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cr
certification_015
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esd
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