FQD8P10TM_F080

Número de Producto del Fabricante:

FQD8P10TM_F080

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FQD8P10TM_F080-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Descripción Detallada:

P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

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12845910

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FQD8P10TM_F080 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

QFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

6.6A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

530mOhm @ 3.3A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

470 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-252AA

Paquete / Caja

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número de producto base

FQD8

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

FQD8P10TM-F085

FABRICANTE

onsemi

CANTIDAD DISPONIBLE

8244

NÚMERO DE PIEZA

FQD8P10TM-F085-DG

PRECIO UNITARIO

0.47

TIPO DE SUSTITUCIÓN

Parametric Equivalent

NÚMERO DE PARTE

FQD8P10TM

FABRICANTE

onsemi

CANTIDAD DISPONIBLE

1680

NÚMERO DE PIEZA

FQD8P10TM-DG

PRECIO UNITARIO

0.25

TIPO DE SUSTITUCIÓN

Parametric Equivalent

NÚMERO DE PARTE

IRFR9120NTRPBF

FABRICANTE

Infineon Technologies

CANTIDAD DISPONIBLE

20109

NÚMERO DE PIEZA

IRFR9120NTRPBF-DG

PRECIO UNITARIO

0.35

TIPO DE SUSTITUCIÓN

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