Número de Producto del Fabricante:
FQI34P10TU
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQI34P10TU-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12838657
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ENVIAR
FQI34P10TU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
33.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 16.75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2910 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
FQI3
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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