Número de Producto del Fabricante:
FQP13N50C_F105
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQP13N50C_F105-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12838692
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ENVIAR
FQP13N50C_F105 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FQP1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFB13N50APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1693
NÚMERO DE PIEZA
IRFB13N50APBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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