Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Mexico
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Mexico
Cambiar:
Inglés
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
FQP3N80
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQP3N80-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12846456
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQP3N80 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
690 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FQP3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
FQP3N80
Hoja de datos HTML
FQP3N80-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP5NK80Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
240
NÚMERO DE PIEZA
STP5NK80Z-DG
PRECIO UNITARIO
0.85
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STP3NK90Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
361
NÚMERO DE PIEZA
STP3NK90Z-DG
PRECIO UNITARIO
0.77
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STP4NK80Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STP4NK80Z-DG
PRECIO UNITARIO
0.76
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
FQP6N80C
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
344
NÚMERO DE PIEZA
FQP6N80C-DG
PRECIO UNITARIO
0.93
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STP2N80K5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1680
NÚMERO DE PIEZA
STP2N80K5-DG
PRECIO UNITARIO
0.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
AON6226
MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN
FDFS2P102
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
FDS6675
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDMC4436BZ
MOSFET P-CH