Número de Producto del Fabricante:
FQT2P25TF
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQT2P25TF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
Descripción Detallada:
P-Channel 250 V 550mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Inventario:
12922866
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ENVIAR
FQT2P25TF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
550mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4Ohm @ 275mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
FQT2P25
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
FQT2P25TFTR
FQT2P25TFDKR
FQT2P25TFCT
FQT2P25TF-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSP317PH6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
8987
NÚMERO DE PIEZA
BSP317PH6327XTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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