Número de Producto del Fabricante:
HUF75531SK8T
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
HUF75531SK8T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12846785
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ENVIAR
HUF75531SK8T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
UltraFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
82 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1210 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
HUF75
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF7473TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
6945
NÚMERO DE PIEZA
IRF7473TRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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