Número de Producto del Fabricante:
HUF75639S3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
HUF75639S3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
800 Pcs Nuevos Originales En Stock
12851335
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ENVIAR
HUF75639S3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
UltraFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
56A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
HUF75639
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
2832-HUF75639S3-488
2832-HUF75639S3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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