Número de Producto del Fabricante:
MGSF2N02ELT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
MGSF2N02ELT1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
38920 Pcs Nuevos Originales En Stock
12846081
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ENVIAR
MGSF2N02ELT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.5 nC @ 4 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
MGSF2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
MGSF2N02ELT1GOS-DG
2156-MGSF2N02ELT1G-OS
ONSONSMGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1GOSDKR
MGSF2N02ELT1GOSCT
MGSF2N02ELT1GOS
MGSF2N02ELT1GOSTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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