Número de Producto del Fabricante:
MMDF3N02HDR2
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
MMDF3N02HDR2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12844340
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
MMDF3N02HDR2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
630 pF @ 16 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
MMDF3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
2156-MMDF3N02HDR2-ONTR-DG
ONSONSMMDF3N02HDR2
2156-MMDF3N02HDR2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF7103TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
9567
NÚMERO DE PIEZA
IRF7103TRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
AOI510
MOSFET N-CH 30V 45A/70A TO251A
NTD60N03-001
MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
AO4314
MOSFET N-CH 36V 20A 8SOIC
