MMUN2135LT1G
Número de Producto del Fabricante:

MMUN2135LT1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

MMUN2135LT1G-DG

Descripción:

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventario:

23908 Pcs Nuevos Originales En Stock
12855471
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MMUN2135LT1G Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Potencia - Máx.
246 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Número de producto base
MMUN2135

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
MMUN2135LT1GOSDKR
ONSONSMMUN2135LT1G
2156-MMUN2135LT1G-OS
MMUN2135LT1GOSTR
MMUN2135LT1GOSCT
MMUN2135LT1G-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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