Número de Producto del Fabricante:
NDD60N900U1-1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NDD60N900U1-1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 5.7A (Tc) 74W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12858045
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ENVIAR
NDD60N900U1-1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
360 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
NDD60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
ONSONSNDD60N900U1-1G
2156-NDD60N900U1-1G-ON
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPS80R1K2P7AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPS80R1K2P7AKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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