Número de Producto del Fabricante:
NDS356AP-NB8L005A
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NDS356AP-NB8L005A-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventario:
12857982
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NDS356AP-NB8L005A Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
200mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
280 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
NDS356
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NTD50N03R
MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
NVD6824NLT4G-VF01
MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
IPP22N03S4L15AKSA1
MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3
