Número de Producto del Fabricante:
NTB65N02RT4G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTB65N02RT4G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 7.6A (Tc) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12857706
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ENVIAR
NTB65N02RT4G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1330 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
NTB65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
NTB65N02RT4GOS
2156-NTB65N02RT4G
2156-NTB65N02RT4G-ONTR-DG
ONSONSNTB65N02RT4G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PSMN4R3-30BL,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
9945
NÚMERO DE PIEZA
PSMN4R3-30BL,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.58
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
PSMN017-30BL,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
1868
NÚMERO DE PIEZA
PSMN017-30BL,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
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