Número de Producto del Fabricante:
NTBG160N120SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTBG160N120SC1-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 19.5A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
512 Pcs Nuevos Originales En Stock
12938396
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ENVIAR
NTBG160N120SC1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
224mOhm @ 12A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33.8 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
678 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
NTBG160
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
488-NTBG160N120SC1TR
488-NTBG160N120SC1CT
488-NTBG160N120SC1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
G3R160MT12J
FABRICANTE
GeneSiC Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2358
NÚMERO DE PIEZA
G3R160MT12J-DG
PRECIO UNITARIO
6.82
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
NVBG160N120SC1
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
785
NÚMERO DE PIEZA
NVBG160N120SC1-DG
PRECIO UNITARIO
12.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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