NTBGS3D5N06C
Número de Producto del Fabricante:

NTBGS3D5N06C

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTBGS3D5N06C-DG

Descripción:

POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 127A (Tc) 3.7W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Inventario:

12954507
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

NTBGS3D5N06C Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Ta), 127A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V, 12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 24A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 122µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2430 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.7W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
488-NTBGS3D5N06CCT
488-NTBGS3D5N06CTR
488-NTBGS3D5N06CDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

IRF9610PBF-BE3

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

toshiba-semiconductor-and-storage

TK10A50W,S5X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FDS6676AS

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI