NTD4815N-35G

Número de Producto del Fabricante:

NTD4815N-35G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTD4815N-35G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK

Descripción Detallada:

N-Channel 30 V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Through Hole I-Pak

Inventario:

11 Pcs Nuevos Originales En Stock

12860333

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NTD4815N-35G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

6.9A (Ta), 35A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 11.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

15mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

14.1 nC @ 11.5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

770 pF @ 12 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1.26W (Ta), 32.6W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

I-PAK

Paquete / Caja

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Número de producto base

NTD4815

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

NTD4815N-35G-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

75

Otros nombres

NTD4815N-35GOS

2156-NTD4815N-35G-OS

2832-NTD4815N-35G

NTD4815N-35G-DG

ONSONSNTD4815N-35G

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

DMN3016LK3-13

FABRICANTE

Diodes Incorporated

CANTIDAD DISPONIBLE

11562

NÚMERO DE PIEZA

DMN3016LK3-13-DG

PRECIO UNITARIO

0.15

TIPO DE SUSTITUCIÓN

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Certificación DIGI

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