Número de Producto del Fabricante:
NTD4960N-35G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTD4960N-35G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12840725
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ENVIAR
NTD4960N-35G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.9A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
NTD49
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
NTD4960N-35GOS
2156-NTD4960N-35G-ON
ONSONSNTD4960N-35G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD090N03LGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
94138
NÚMERO DE PIEZA
IPD090N03LGATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.23
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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