NTH4L060N065SC1
Número de Producto del Fabricante:

NTH4L060N065SC1

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTH4L060N065SC1-DG

Descripción:

SIC MOS TO247-4L 650V
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Inventario:

663 Pcs Nuevos Originales En Stock
12979442
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NTH4L060N065SC1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
47A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V, 18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
70mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 6.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
74 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1473 pF @ 325 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
176W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4L
Paquete / Caja
TO-247-4

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
NTH4L060N065SC1

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
488-NTH4L060N065SC1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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