Número de Producto del Fabricante:
NTHC5513T1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTHC5513T1G-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 2.9A, 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Inventario:
12855870
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ENVIAR
NTHC5513T1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.9A, 2.2A
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
180pF @ 10V
Potencia - Máx.
1.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos del proveedor
ChipFET™
Número de producto base
NTHC5513
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
NTHC5513T1GOS-DG
NTHC5513T1GOS
ONSNTHC5513T1G
=NTHC5513T1GOSCT-DG
2832-NTHC5513T1G
NTHC5513T1GOSTR
NTHC5513T1GOSDKR
NTHC5513T1GOSCT
2156-NTHC5513T1G-OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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