Número de Producto del Fabricante:
NTHL022N120M3S
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTHL022N120M3S-DG
Descripción:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
187 Pcs Nuevos Originales En Stock
13376046
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NTHL022N120M3S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
68A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 40A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.4V @ 20mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
139 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3130 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
352W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Otros nombres
488-NTHL022N120M3S-ND
5556-NTHL022N120M3S
488-NTHL022N120M3S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMN52D0U-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMTH45M5SFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
DMP31D7LWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R