NTHL1000N170M1
Número de Producto del Fabricante:

NTHL1000N170M1

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTHL1000N170M1-DG

Descripción:

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Descripción Detallada:
N-Channel 1700 V 4.2A (Tc) 48W Through Hole TO-247-3

Inventario:

406 Pcs Nuevos Originales En Stock
13255985
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NTHL1000N170M1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.43Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 640µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
48W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
NTHL1000N170M1

Información Adicional

Paquete Estándar
450
Otros nombres
488-NTHL1000N170M1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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