NTLGF3501NT1G
Número de Producto del Fabricante:

NTLGF3501NT1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTLGF3501NT1G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-DFN (3x3)

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
12844879
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

NTLGF3501NT1G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
FETKY™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 3.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
275 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.14W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-DFN (3x3)
Paquete / Caja
6-VDFN Exposed Pad
Número de producto base
NTLGF35

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
ONSONSNTLGF3501NT1G
2156-NTLGF3501NT1G-ONTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Productos relacionados
alpha-and-omega-semiconductor

AO4576

MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOU4S60

MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF11S60L

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F

vishay-siliconix

IRF740ASTRR

MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK