NTLJD3119CTBG
Número de Producto del Fabricante:

NTLJD3119CTBG

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTLJD3119CTBG-DG

Descripción:

MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 2.6A, 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)

Inventario:

15296 Pcs Nuevos Originales En Stock
12861022
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

NTLJD3119CTBG Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
µCool™
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A, 2.3A
rds activados (máx.) @ id, vgs
65mOhm @ 3.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
271pF @ 10V
Potencia - Máx.
710mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
6-WDFN (2x2)
Número de producto base
NTLJD3119

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
=NTLJD3119CTBGOSCT-DG
NTLJD3119CTBGOSDKR
NTLJD3119CTBGOSTR
NTLJD3119CTBGOSCT
NTLJD3119CTBG-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
panasonic

FC4B22270L1

MOSFET 2 N-CHANNEL 4SMD

renesas-electronics-america

GWS9294

MOSFET 2N-CH 20V 10.1A 4QFN

onsemi

NTMD6N03R2G

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

renesas-electronics-america

RJM0603JSC-00#13

MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A 20HSOP