Número de Producto del Fabricante:
NTLJF3117PT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTLJF3117PT1G-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Inventario:
20724 Pcs Nuevos Originales En Stock
12856499
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ENVIAR
NTLJF3117PT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
µCool™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
531 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
710mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-WDFN (2x2)
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad
Número de producto base
NTLJF3117
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
NTLJF3117PT1GOSTR
NTLJF3117PT1GOSDKR
NTLJF3117PT1G-DG
ONSONSNTLJF3117PT1G
NTLJF3117PT1GOSCT
=NTLJF3117PT1GOSCT-DG
2156-NTLJF3117PT1G-OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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