Número de Producto del Fabricante:
NTMFS3D2N10MDT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMFS3D2N10MDT1G-DG
Descripción:
PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2.8W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventario:
541 Pcs Nuevos Originales En Stock
12979494
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ENVIAR
NTMFS3D2N10MDT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Ta), 142A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 316µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
71.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3900 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NTMFS3D2N10MDT1GTR
488-NTMFS3D2N10MDT1GCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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