Número de Producto del Fabricante:
NTMJS2D5N06CLTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMJS2D5N06CLTWG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 3.9A/113A 8LFPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 3.9A (Ta), 113A (Tc) 3.9W (Ta), 113A (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Inventario:
12856806
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ENVIAR
NTMJS2D5N06CLTWG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.9A (Ta), 113A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 135µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.9W (Ta), 113A (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-LFPAK
Paquete / Caja
SOT-1205, 8-LFPAK56
Número de producto base
NTMJS2
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-NTMJS2D5N06CLTWGDKR
NTMJS2D5N06CLTWG-DG
488-NTMJS2D5N06CLTWGCT
488-NTMJS2D5N06CLTWGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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