Número de Producto del Fabricante:

NTMKE4892NT1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTMKE4892NT1G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 26A/148A 4ICEPAK

Descripción Detallada:

N-Channel 30 V 26A (Ta), 148A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)

Inventario:

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NTMKE4892NT1G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

26A (Ta), 148A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

2.6mOhm @ 24A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

61 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

4270 pF @ 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)

Paquete / Caja

5-ICEPAK

Número de producto base

NTMKE4

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

NTMKE4892NT1G-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

1,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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