Número de Producto del Fabricante:
NTP165N65S3H
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTP165N65S3H-DG
Descripción:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
523 Pcs Nuevos Originales En Stock
12950501
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ENVIAR
NTP165N65S3H Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1.6mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1808 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
142W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
488-NTP165N65S3H
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
MSJP20N65A-BP
FABRICANTE
Micro Commercial Co
CANTIDAD DISPONIBLE
30050
NÚMERO DE PIEZA
MSJP20N65A-BP-DG
PRECIO UNITARIO
1.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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