Número de Producto del Fabricante:
NTP8G206NG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTP8G206NG-DG
Descripción:
GANFET N-CH 600V 17A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12842932
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ENVIAR
NTP8G206NG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
2.6V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 480 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
NTP8G2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
ONSONSNTP8G206NG
NTP8G206NGOS
2156-NTP8G206NG-ON
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SIHP22N60E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SIHP22N60E-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.67
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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