NTRV4101PT1G

Número de Producto del Fabricante:

NTRV4101PT1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTRV4101PT1G-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3

Descripción Detallada:

P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventario:

4020 Pcs Nuevos Originales En Stock

12842997

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NTRV4101PT1G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1.8A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

1.8V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

85mOhm @ 1.6A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id

1.2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

8.5 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

675 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

420mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grado

Automotive

Calificación

AEC-Q101

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

SOT-23-3 (TO-236)

Paquete / Caja

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Número de producto base

NTRV4101

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

NTRV4101PT1G-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Otros nombres

NTRV4101PT1GOSDKR

ONSONSNTRV4101PT1G

488-NTRV4101PT1GTR

NTRV4101PT1G-DG

NTRV4101PT1GOSTR-DG

488-NTRV4101PT1GCT

488-NTRV4101PT1GDKR

NTRV4101PT1GOSCT-DG

NTRV4101PT1GOSCT

NTRV4101PT1GOSDKR-DG

NTRV4101PT1GOSTR

2156-NTRV4101PT1G-OS

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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