Número de Producto del Fabricante:
NTTFS5826NLTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTTFS5826NLTWG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 8A (Ta) 3.1W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Inventario:
12858253
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ENVIAR
NTTFS5826NLTWG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
24mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
850 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Número de producto base
NTTFS5
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
ONSONSNTTFS5826NLTWG
2156-NTTFS5826NLTWG-ONTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RH6L040BGTB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
24833
NÚMERO DE PIEZA
RH6L040BGTB1-DG
PRECIO UNITARIO
0.79
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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