Número de Producto del Fabricante:
NTY100N10
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTY100N10-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 123A TO264
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 123A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-264
Inventario:
12857340
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ENVIAR
NTY100N10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
123A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10110 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
313W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-264
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
NTY100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
2156-NTY100N10-ON
ONSONSNTY100N10
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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