Número de Producto del Fabricante:
NVB5860NLT4G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVB5860NLT4G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 220A (Ta) 283W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12859204
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ENVIAR
NVB5860NLT4G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
220A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13216 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
283W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
NVB586
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
2156-NVB5860NLT4G-ONTR
ONSONSNVB5860NLT4G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDB86566-F085
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
750
NÚMERO DE PIEZA
FDB86566-F085-DG
PRECIO UNITARIO
1.76
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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