Número de Producto del Fabricante:
NVF2955T1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVF2955T1G-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 2.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventario:
3990 Pcs Nuevos Originales En Stock
12847799
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ENVIAR
NVF2955T1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
170mOhm @ 750mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
492 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223 (TO-261)
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
NVF2955
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
NVF2955T1GOSDKR-DG
488-NVF2955T1GDKR
NVF2955T1GOSCT-DG
488-NVF2955T1GTR
NVF2955T1G-DG
NVF2955T1GOSTR-DG
NVF2955T1GOSCT
488-NVF2955T1GCT
NVF2955T1GOSTR
NVF2955T1GOSDKR
2156-NVF2955T1G-OS
ONSONSNVF2955T1G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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