Número de Producto del Fabricante:
NVMFWS004N10MCT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMFWS004N10MCT1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 5DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 21A (Ta), 138A (Tc) 3.8W (Ta), 164W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Inventario:
12991762
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ENVIAR
NVMFWS004N10MCT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Ta), 138A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 48A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 270µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3600 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 164W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads
Número de producto base
NVMFWS004
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NVMFWS004N10MCT1GTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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