Número de Producto del Fabricante:
NVMFWS0D4N04XMT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMFWS0D4N04XMT1G-DG
Descripción:
40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 519A (Tc) 197W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Inventario:
12986571
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ENVIAR
NVMFWS0D4N04XMT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
519A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.42mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 330µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8550 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
197W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NVMFWS0D4N04XMT1GDKR
488-NVMFWS0D4N04XMT1GCT
488-NVMFWS0D4N04XMT1GTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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