Número de Producto del Fabricante:
NVMYS025N06CLTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMYS025N06CLTWG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 8.5A (Ta), 21A (Tc) 3.8W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventario:
5735 Pcs Nuevos Originales En Stock
12844123
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NVMYS025N06CLTWG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.5A (Ta), 21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
27.5mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 13µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja
SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base
NVMYS025
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
NVMYS025N06CLTWGOS
NVMYS025N06CLTWGOSTR
NVMYS025N06CLTWGOSDKR
NVMYS025N06CLTWGOS-DG
NVMYS025N06CLTWGOSCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF614L
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO262
NVMFS5C410NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
NVMFS4C01NT1G
MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
