Número de Producto del Fabricante:
NVMYS2D3N06CTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMYS2D3N06CTWG-DG
Descripción:
T6 60V SL LFPAK4 5X6
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 28.7A (Ta), 171A (Tc) 3.8W (Ta), 134.4W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventario:
13000958
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ENVIAR
NVMYS2D3N06CTWG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28.7A (Ta), 171A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 180µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3584 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 134.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja
SOT-1023, 4-LFPAK
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-NVMYS2D3N06CTWGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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