Número de Producto del Fabricante:
RFP2N10L
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
RFP2N10L-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 2A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 2A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12856704
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ENVIAR
RFP2N10L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.05Ohm @ 2A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
RFP2N
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RFP12N10L
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
4251
NÚMERO DE PIEZA
RFP12N10L-DG
PRECIO UNITARIO
0.42
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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