Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Mexico
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Mexico
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
FJ4B01120L1
Product Overview
Fabricante:
Panasonic Electronic Components
Número de pieza:
FJ4B01120L1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 2.6A (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount ULGA004-W-1010-RA01
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12864610
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FJ4B01120L1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Panasonic
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
51mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
814 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
370mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
ULGA004-W-1010-RA01
Paquete / Caja
4-XFLGA, CSP
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
FJ4B01120L1
Hoja de datos HTML
FJ4B01120L1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
P123943CT
P123943TR
P123943DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
KFJ4B01120L
FABRICANTE
Nuvoton Technology Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
KFJ4B01120L-DG
PRECIO UNITARIO
0.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
SK8403180L
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
VN0106N3-G
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
FJ4B01100L1
MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004
IRF840ASTRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK