PJW5N10_R2_00001
Número de Producto del Fabricante:

PJW5N10_R2_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

Número de pieza:

PJW5N10_R2_00001-DG

Descripción:

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 3.1A (Ta), 5A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Inventario:

12972778
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PJW5N10_R2_00001 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.1A (Ta), 5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
707 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
PJW5N10

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
3757-PJW5N10_R2_00001TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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