Número de Producto del Fabricante:

QJD1210SA2

Product Overview

Fabricante:

Powerex Inc.

Número de pieza:

QJD1210SA2-DG

Descripción:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

Descripción Detallada:

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module

Inventario:

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12840189

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QJD1210SA2 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante

Powerex

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tecnología

Silicon Carbide (SiC)

Configuración

2 N-Channel (Dual)

Función FET

-

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

100A

rds activados (máx.) @ id, vgs

17mOhm @ 100A, 15V

vgs(th) (máx.) @ id

1.6V @ 34mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

330nC @ 15V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

8200pF @ 10V

Potencia - Máx.

415W

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Caja

Module

Paquete de dispositivos del proveedor

Module

Número de producto base

QJD1210

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

QJD1210SA2 Preliminary Datasheet Next Generation Power Semiconductors Brief

Información Adicional

Paquete Estándar

1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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