2SJ162-E

Número de Producto del Fabricante:

2SJ162-E

Product Overview

Fabricante:

Renesas Electronics Corporation

Número de pieza:

2SJ162-E-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 160V 7A TO3P

Descripción Detallada:

P-Channel 160 V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventario:

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12861218

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2SJ162-E Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Renesas Electronics Corporation

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

160 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

7A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

-

vgs(th) (máx.) @ id

-

Vgs (máx.)

±15V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

900 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

100W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-3P

Paquete / Caja

TO-3P-3, SC-65-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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