2SJ358-T1-AZ
Número de Producto del Fabricante:

2SJ358-T1-AZ

Product Overview

Fabricante:

Renesas

Número de pieza:

2SJ358-T1-AZ-DG

Descripción:

2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MP-2

Inventario:

4550 Pcs Nuevos Originales En Stock
12987499
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2SJ358-T1-AZ Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
MP-2
Paquete / Caja
TO-243AA

Información Adicional

Paquete Estándar
358
Otros nombres
2156-2SJ358-T1-AZ

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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