Número de Producto del Fabricante:
2SK1317-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
2SK1317-E-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 1500 V 2.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
5608 Pcs Nuevos Originales En Stock
12858018
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
2SK1317-E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
990 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
2SK1317
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
-1161-2SK1317-E
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NDB6060L
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
NVMFS6H800NT1G
MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
NVB5860NT4G
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
