Número de Producto del Fabricante:
2SK3430-AZ
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
2SK3430-AZ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 1.5W (Ta), 84W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12853816
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ENVIAR
2SK3430-AZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2800 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta), 84W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF4104PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
928
NÚMERO DE PIEZA
IRF4104PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.78
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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