Número de Producto del Fabricante:

H5N2307LSTL-E

Product Overview

Fabricante:

Renesas Electronics Corporation

Número de pieza:

H5N2307LSTL-E-DG

Descripción:

MOSFET N-CH HS SW TO-263

Descripción Detallada:

Inventario:

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12860672

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H5N2307LSTL-E Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Renesas Electronics Corporation

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

-

Tecnología

-

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

-

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

-

rds activados (máx.) @ id, vgs

-

vgs(th) (máx.) @ id

-

Vgs (máx.)

-

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

-

Temperatura de funcionamiento

-

Tipo de montaje

-

Paquete de dispositivos del proveedor

-

Paquete / Caja

-

Información Adicional

Paquete Estándar

1,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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